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Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
30
10
V GS = 10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
30
10
150 C
25 C
1
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.05
0.1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
20
1
4
* Notes :
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.9
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
0.8
o
25 C
0.7
0.6
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
Notes:
* Note : T J = 25 C
0.5
0
6 12
o
18
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.5 1.0 1.5
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
1500
C oss
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1000
4
500
C rss
2
0
0.1
1
10
30
0
0
4
* Note : I D = 11.5A
8 12 16 20
24
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB12N50F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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